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IT之家 7 月 7 日消息，來自東京工業大學的科研團隊近日研發出可堆疊內存，其傳輸速度是 HBM2E 內存的 4 倍，功耗僅為五分之一。

科研團隊將其成為 BBCube，最大的亮點災區去除了傳統內存的逐層焊接晶體布局。

科研團隊在 2023 年 6 月舉行的 VLSI IEEE Symposium 2023 大會上得到了同行論證，不僅提出了這一新概念，還詳細描述了生產這種存儲器的技術流程。

IT之家注：高帶寬存儲器（HBM）是三星電子、超微半導體和 SK 海力士發起的一種基于 3D 堆棧工藝的高性能 DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應用場合，像是圖形處理器、網絡交換及轉發設備等。

生產 HBM 內存的現有方法限制了其功能，堆疊中的每一層（DRAM 芯片）不能制造得比特定規格更薄，并且層之間的球接觸（ball contacts）數量不能增加超過特定值，否則存在機械損壞和短路的風險。

科研團隊提議在 DRAM 封裝過程中去除球接觸，可以讓芯片變得更薄，降低每一層的機械應力，縮短 TSV 的過孔線。

研究團隊負責人 Takayuki Ohba 教授表示：“BBCube 3D 有潛力實現每秒 1.6 TB 的吞吐量，比 DDR5 快 30 倍，比 HBM2E 快四倍。”

IT之家在此附上詳細論文地址，感興趣的用戶可以深入閱讀。

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